GT40Q323_国产替代_IGBT 晶体管 IGBT 1200V 39A益百分电子
- 厂家型号:
GT40Q323
- 产品分类:
IC芯片
- 生产厂商:
国产替代
- 库存数量:
100000
- 产品封装:
TO247
- 生产批号:
2012
- 库存类型:
常用库存
- 更新时间:
2024-6-6 13:26:00
原厂料号:GT40Q323品牌:国产替代
全新原装进口自己库存优势
- 芯片型号:
GT40Q323
- 规格书:
下载
- 企业简称:
TOSHIBA【东芝】详情
- 厂商全称:
Toshiba Semiconductor
- 中文名称:
株式会社東芝
- 内容页数:
16 页
- 文件大小:
835.68 kb
- 资料说明:
Discrete IGBTs
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
GT40Q323
- 功能描述:
IGBT 晶体管 IGBT 1200V 39A
- RoHS:
否
- 制造商:
Fairchild Semiconductor
- 配置:
集电极—发射极最大电压
- VCEO:
650 V
- 集电极—射极饱和电压:
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压:
20 V 在25
- C的连续集电极电流:
150 A
- 栅极—射极漏泄电流:
400 nA
- 功率耗散:
187 W
- 封装/箱体:
TO-247
- 封装:
Tube
相近型号
- GT40Q321(LBRICO,Q)
- GT40QR21(STA1.E.D
- GT40Q321(LBRICO
- GT40QR21(STA1ED
- GT40Q321
- GT40QR21(STA1EDIC
- GT40Q301
- GT40QR21,F(O
- GT40PI120T6H-T4
- GT40QR21/F(O
- GT40PI120T6H
- GT40QR21/TOSHIBA
- GT40PI120T5H-T4
- GT40QR2140QR21
- GT40PI120T5H
- GT40QR21A
- GT40PI120C7H
- GT40QR21STA1
- GT40NQ321
- GT40N60
- GT40RR21
- GT40N321
- GT40RR21(S1AT1,E,S)
- GT40N301
- GT40RR21(S1AT1ES)
- GT40N150D
- GT40RR21(STA1,E
- GT40M301
- GT40RR2140RR21
- GT40M104
- GT40RR21S1AT1ES
- GT40M101IRG4PF50WD
- GT40RR22
- GT40M101=IRG4PF50WD
- GT40RR22(STA1
- GT40M101
- GT40RR22(STA1,E,S)
- GT40J325
- GT40RR22(STA1ES)
- GT40J324PHDTQ(O
- GT40RR2240RR22
- GT40J324PHDT1Q(O
- GT40J324,PHDTQ(O
- GT40J324,PHDT1Q(O
- GT40J324
- GT40RR23
- GT40RR23(STA1
- GT40J323
- GT40RR23(STA1,E,S)
- GT40J322