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GT30J341,Q	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRANS 600V 30A TO3PN	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
GT30J341	文件：301.06 Kbytes Page：10 Pages	DiscreteIGBTsSiliconN-ChannelIGBT 1.Applications •MotorDrivers 2.Features (1)Sixthgeneration (2)Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.5V(typ.)(IC=30A) (3)Highjunctiontemperature:Tj=175ㄹ°C(max) (4)FRDincludedbetweenemitterandcollector	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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GT30J341,Q

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：管件封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRANS 600V 30A TO3PN

Toshiba Semiconductor and Storage

GT30J341

文件：301.06 Kbytes

Page：10 Pages

DiscreteIGBTsSiliconN-ChannelIGBT

1.Applications •MotorDrivers 2.Features (1)Sixthgeneration (2)Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.5V(typ.)(IC=30A) (3)Highjunctiontemperature:Tj=175ㄹ°C(max) (4)FRDincludedbetweenemitterandcollector

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

产品属性

产品编号：
GT30J341,Q
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，30A
开关能量：
800µJ（开），600µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
80ns/280ns
测试条件：
300V，30A，24 欧姆，15V
工作温度：
175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P（N）
描述：
IGBT TRANS 600V 30A TO3PN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多GT30J341,Q供应商更新时间2024-6-11 16:16:00

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