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零件编号 | 下载&订购 | 功能描述 | 制造商&上传企业 | LOGO |
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InsulatedGateBipolarTransistorSiliconNChannelIGBT HighPowerSwitchingApplications FastSwitchingApplications •Fourth-generationIGBT •Enhancementmodetype •Fastswitching(FS):Operatingfrequencyupto50kHz(reference) Highspeed:tf=0.05μs(typ.) Lowswitchingloss:Eon=1.00mJ(typ.) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 | TOSHIBA | ||
SiliconNChannelIGBTHighPowerSwitchingApplications | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 | TOSHIBA | ||
BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 | TOSHIBA |
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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