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30J322

NCHANNELMOSTYPE(THE4THGENERATIONCURRENTRESONANCEINVERTERSWITCHINGAPPLICATIONS)

DiscreteIGBTs(PDF:875KB)03/2011: http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 *GT30G124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:430V -IGBTCurrentRatingIC(A)@Ta=25C:200A *GT30J124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:600V -IGBTCurrentRatingIC(

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

GT30J322

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TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

GT30J322

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

详细参数

  • 型号:

    GT30J322(Q

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    IGBT; N-Channel; 600V; 30A

  • 功能描述:

    TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 30A 3PIN TO-3P(N)IS - Rail/Tube

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更多GT30J322(Q供应商 更新时间2024-6-25 14:45:00