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GT25J101

N CHANNEL (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 : http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 * GT30G124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V - IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A * GT30J124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V - IGBT Current Rating IC(

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TOSHIBA

东芝

GT25J101

Discrete IGBTs

文件:835.68 Kbytes 页数:16 Pages

TOSHIBA

东芝

GT25J101

Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Motor Control Applications

Toshiba

东芝

GT300HF120T2VHE

IGBT模块

SILVERMICRO/银茂微

上传:深圳市芯纬度科技有限公司

SILVERMICRO/银茂微

GT30L24A3W

SOP-8

GENITOP

上海高通

上传:深圳市美思瑞电子科技有限公司

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更多GT25J101供应商 更新时间2025-11-25 9:38:00