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GT25G101(SM)中文资料INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT STROBE FLASH APPLICATIONS数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

GT25G101(SM)

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT STROBE FLASH APPLICATIONS

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-9-30 10:15:00

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技术参数

  • 型号:

    GT25G101(SM)

  • 功能描述:

    TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 400V V(BR)CES | 25A I(C) | TO-263VAR

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