GT20N135SRA,S1E_分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单-Toshiba Semiconductor and Storage

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1+	¥27.43000

厂家型号：
GT20N135SRA,S1E
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
库存数量：
27
类别：
分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单
封装外壳：
TO-247-3
包装：
管件
安装类型：
通孔
更新时间：
2024-5-24 15:00:00

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原厂料号：GT20N135SRA,S1E品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

资料说明：D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=40A

GT20N135SRA,S1E是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生产封装TO-247-3的GT20N135SRA,S1E晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
gt20n135sra,s1e
规格书：
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资料说明：
D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=40A

产品属性

类型
描述
产品编号：
GT20N135SRA,S1E
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，40A
开关能量：
-，700µJ（关）
输入类型：
标准
测试条件：
300V，40A，39 欧姆，15V
工作温度：
175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247
描述：
D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=40A

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GT20N135SRA,S1E

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