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GT20J341,S4X(S

包装:管件 封装/外壳:TO-220-3 整包 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220S

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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20J341

DiscreteIGBTsSiliconN-ChannelIGBT

Features (1)Sixthgeneration (2)Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.5V(typ.)(IC=20A) (3)FRDincludedbetweenemitterandcollector Applications •MotorDrivers

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

GT20J341

DiscreteIGBTsSiliconN-ChannelIGBT

Features (1)Sixthgeneration (2)Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.5V(typ.)(IC=20A) (3)FRDincludedbetweenemitterandcollector Applications •MotorDrivers

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

产品属性

  • 产品编号:

    GT20J341,S4X(S

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,20A

  • 开关能量:

    500µJ(开),400µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    60ns/240ns

  • 测试条件:

    300V,20A,33 欧姆,15V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220SIS

  • 描述:

    DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220S

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多GT20J341,S4X(S供应商 更新时间2024-6-17 15:03:00