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GT12010HB中文资料低中压MOSFET数据手册GIET规格书

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厂商型号

GT12010HB

功能描述

低中压MOSFET

制造商

GIET Beijing Green Energy Xinchuang Electronic Technology Co., Ltd

中文名称

绿能芯创 北京绿能芯创电子科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 19:24:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :GT12010HB

  • 生产厂家

    :GIET

  • ID (A)

    :120

  • RDS(typ) (mΩ)

    :5.5

  • RDS(max) (mΩ)

    :7

  • Vgs (V)

    :44231

  • 封装类型

    :TO-263

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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