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详细参数

  • 型号:

    GT10Q101(Q)

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 1200V/10A DIS

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TOSHIBA/东芝
23+
TO-3P
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
TOSHIBA/东芝
24+
TO-3P
60000
询价
TOSHIBA
24+/25+
442
原装正品现货库存价优
询价
TOS
23+
65480
询价
TOSHIBA/东芝
20+
TO-3P(N)
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
TOSHIBA/东芝
TO-3P(N)
22+
6000
十年配单,只做原装
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TOS
25+
TO-3P(N)
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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TOSHIBA
25+
管3P
18000
原厂直接发货进口原装
询价
TOSHIBA
23+
TO-3P
5000
原装正品,假一罚十
询价
TOSHIBA
23+
TO-247
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
更多GT10Q101(Q)供应商 更新时间2025-10-5 11:00:00