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GT10J321	文件：158.69 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBAInsulatedGateBipolarTransistorSiliconNChanenelIGBT HighPowerSwitchingApplications FastSwitchingApplications •Fourth-generationIGBT •Enhancementmodetype •Fastswitching(FS):Operatingfrequencyupto50kHz(reference) •Highspeed:tf=0.03μs(typ.) •Lowswitchingloss:Eon=0.26mJ(typ.):Eoff=0.18mJ(typ.) •Lowsatu	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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详细参数

型号：
GT10J321(Q)
功能描述：
IGBT 晶体管 IGBT, 600V, 10A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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更多GT10J321(Q)供应商更新时间2024-5-16 14:00:00

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