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NCE4953	文件：1.05895 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NCE4953A	文件：369.9 Kbytes Page：7 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE4953A	文件：1.05507 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NK4953A	文件：1.05878 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTE4953	文件：26.12 Kbytes Page：2 Pages	SurgeClamping,TransientOvervoltageSuppressorBidirectional Description: TheNTE4900seriesofsiliconTransientSuppressorsdesignedtoprotectvoltagesensitivecomponentsfromhighenergyvoltagetransients.Transientovervoltagesuppressordeviceshavebecomeveryimportantasaconsequenceoftheirhighsurgecapability,extremelyfastresponsetime	NTE NTE Electronics	NTE
PE4953	文件：340.21 Kbytes Page：2 Pages	RFConnectorsTechnicalDataSheet	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
RCR4953SQ	文件：1.05501 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RM4953	文件：205.33 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RSM4953BDY	文件：1.05503 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RT4953	文件：1.055 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
GSS4953BDY
制造商：
GTM
制造商全称：
GTM
功能描述：
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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