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ADXL1004	文件：442.73 Kbytes Page：14 Pages	LowNoise,WideBandwidth,MEMSAccelerometer	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADXL1004BCPZ	文件：442.73 Kbytes Page：14 Pages	LowNoise,WideBandwidth,MEMSAccelerometer	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADXL1004BCPZ-RL	文件：442.73 Kbytes Page：14 Pages	LowNoise,WideBandwidth,MEMSAccelerometer	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AIVR1004	文件：201.17 Kbytes Page：8 Pages	StandardCMOSprocess.	APLUSAPLUS APLUS	APLUS
AIVR1004	文件：122.24 Kbytes Page：8 Pages	tandardCMOSprocess	APLUSAPLUS APLUS	APLUS
AN1004	文件：1.07567 Mbytes Page：16 Pages	Abroadportfolioofhighperformance,best-in-classSerialMemoryProductstomeetallyourdesignrequirements.	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
APE1004	文件：293.89 Kbytes Page：6 Pages	verylowcostvoiceandmelodysynthesizerwith4-bitsCPU GeneralDescription TheAPExx04seriesareverylowcostvoiceandmelodysynthesizerwith4-bitsCPU.Theyhavevariousfeaturesincluding4-bitsALU,ROM,RAM,I/Oports,timers,clockgenerator,voiceandmelodysynthesizer,andPWM(Directdrive)output,etc.Theaudiosynthesizercontainson	APLUSAPLUS APLUS	APLUS
APE1004H	文件：88.37 Kbytes Page：3 Pages	THESLIMPOWERRELAY FEATURES •Slimsize 28mm(L)×5mm(W)×15mm(H) 1.102inch(L)×.197inch(W)×.591inch(H) permitshighdensitymounting •Wideswitchingcapacity:100mA/12VDC-6A/250VAC •Highsensitivity:170mW •Highbreakdown(4,000V)andsurge(6,000V)voltagebetweencontactsand	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
APT1004	文件：49.92 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS POWERMOSIV™ N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT1004RAN	文件：310.12 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=3.9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.0Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT1004RBN	文件：361.08 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=4.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT1004RBN	文件：50.93 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS POWERMOSIV® N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT1004RCN	文件：49.92 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS POWERMOSIV™ N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT1004RCN	文件：297.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=3.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT1004RDN	文件：332.48 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=4.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT1004RGN	文件：297.25 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=3.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT1004RGN	文件：50.25 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS POWERMOSIV™ N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT1004RKN	文件：51.05 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS POWERMOSIV® N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT1004RKN	文件：332.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=3.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ARD1004H	文件：541.41 Kbytes Page：8 Pages	26.5GHz,18GHzCOAXIALSWITCH FEATURES 1.Highfrequencycharacteristics(Impedance50Ω) 2.SPDTandtransfertypeavailable 3.Highsensitivity Nominaloperatingpower:840mW(SPDT,Failsafetype) 1540mW(Transfer,Failsafetype) 4.Longlife:5×106(SPDT) TYPICALAPPLICATIONS Wirelessandmobile	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS

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产品属性

产品编号：
GSK-1004
制造商：
Global Specialties
类别：
创客/DIY，教育 > 教学套件
包装：
散装
套件类型：
项目套件
主要用途：
太阳灯指示器
描述：
SOLAR KIT 5 LEDS 4VDC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海金庆电子技术有限公司	GSK-1004	GlobalSpecialties	新		5	全新原装货期两周	询价
上海市鑫鸿达电子	GSK-1004	Global Specialties	2022+		1	全新原装货期两周	询价
深圳市易讯博科技有限公司	GSK-1004	B&K	22+	NA	3	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
北京京北通宇电子元件有限公司	GSK-1110	Global Specialties	20+	sop	10000	现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格	询价
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