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GS8161Z18BD-200规格书详情
特性 Features
• NBT functionality allows zero wait read-write-read bus utilization
• Fully pin-compatible NtRAM™, NoBL™, and ZBT™ SRAMs
• LBO pin for Linear or Interleaved Burst mode
• Byte Write (BW) and/or Global Write (GW) operation
• Internal self-timed write cycle
• Automatic power-down for portable applications
• JEDEC-standard pinout and package
• RoHS-compliant package available
技术参数
- 制造商编号
：GS8161Z18BD-200
- 生产厂家
：GSI
- Density
：18Mb
- Configuration
：x18
- Cycle Time (MHz)
：200
- Access Time (ns)
：6.5
- Voltage (V)
：2.5
- Package
：165 BGA
- 6/6 RoHS
：no
- Temp
：Comm
- Special Features
：JTAG
- Status
：Production-NRND
- MSL
：3
- ECCN
：3A991
- ECCN Suball
：B2B
- HTS Code
：8542.32.00.40
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
GSI |
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NA/ |
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