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GS8161E36DGT-200IV中文资料SYNCBURST SRAMs数据手册GSI规格书
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特性 Features
• Industry-standard Synchronous Burst Interface
• ZQ mode pin for user-selectable high/low output drive
• LBO pin for Linear or Interleaved Burst mode
• Byte Write (BW) and/or Global Write (GW) operation
• Internal self-timed write cycle
• Automatic power-down for portable applications
• JEDEC-standard pinout and package
• RoHS-compliant package available
技术参数
- 制造商编号
：GS8161E36DGT-200IV
- 生产厂家
：GSI
- Density
：18Mb
- Configuration
：x36
- Cycle Time (MHz)
：200
- Access Time (ns)
：6.5
- Voltage (V)
：1.8
- Package
：100 TQFP
- 6/6 RoHS
：yes
- Temp
：Ind
- Special Features
：DCD
- Status
：Production
- MSL
：3
- ECCN
：3A991
- ECCN Suball
：B2B
- HTS Code
：8542.32.00.40
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