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GS8161E32DGD-200V数据手册GSI中文资料规格书
GS8161E32DGD-200V规格书详情
特性 Features
• Industry-standard Synchronous Burst Interface
• ZQ mode pin for user-selectable high/low output drive
• LBO pin for Linear or Interleaved Burst mode
• Byte Write (BW) and/or Global Write (GW) operation
• Internal self-timed write cycle
• Automatic power-down for portable applications
• JEDEC-standard pinout and package
• RoHS-compliant package available
技术参数
- 制造商编号
：GS8161E32DGD-200V
- 生产厂家
：GSI
- Access Time (ns)
：6.5
- Voltage (V)
：1.8
- Package
：165 BGA
- 6/6 RoHS
：yes
- Temp
：Comm
- Special Features
：DCD
- Type
：SyncBurst SRAMs
- Status
：Production
- Density
：18Mb
- MSL
：3
- Configuration
：x32
- ECCN
：3A991
- ECCN Suball
：B2B
- HTS Code
：8542.32.00.40
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
GSI |
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GSI |
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GSI |
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GSI |
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GSI |
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GSI |
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GSI |
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2013+ |
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