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GS8160Z36DGT-250I数据手册集成电路(IC)的存储器规格书PDF

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厂商型号

GS8160Z36DGT-250I

参数属性

GS8160Z36DGT-250I 封装/外壳为100-LQFP;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP

功能描述

NBT SRAMs

封装外壳

100-LQFP

制造商

GSI GSI Technology

数据手册

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更新时间

2025-8-13 23:01:00

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GS8160Z36DGT-250I规格书详情

特性 Features

• NBT functionality allows zero wait read-write-read bus utilization
• Fully pin-compatible NtRAM™, NoBL™, and ZBT™ SRAMs
• LBO pin for Linear or Interleaved Burst mode
• Byte Write (BW) and/or Global Write (GW) operation
• Internal self-timed write cycle
• Automatic power-down for portable applications
• JEDEC-standard pinout and package
• RoHS-compliant package available

技术参数

  • 制造商编号

    :GS8160Z36DGT-250I

  • 生产厂家

    :GSI

  • Configuration

    :x36

  • Cycle Time (MHz)

    :250

  • Access Time (ns)

    :5.5

  • Voltage (V)

    :2.5

  • Package

    :100 TQFP

  • Type

    :NBT SRAMs

  • 6/6 RoHS

    :yes

  • Temp

    :Ind

  • Special Features

    :none

  • Status

    :Production

  • MSL

    :3

  • ECCN

    :3A991

  • ECCN Suball

    :B2B

  • HTS Code

    :8542.32.00.40

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