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GS120R040Q4	文件：1.63215 Mbytes Page：10 Pages	丝印：GS120R040；Package：TO-247-4；N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET Description Silicon Carbide (SiC) MOSFET use a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits inclu 文件：1.63215 Mbytes 页数：10 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
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更多GS120R040供应商更新时间2025-9-19 17:09:00