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GRM32ER72A225KA35L电容器的陶瓷电容器规格书PDF中文资料

GRM32ER72A225KA35L
厂商型号

GRM32ER72A225KA35L

参数属性

GRM32ER72A225KA35L 封装/外壳为1210(3225 公制);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为电容器的陶瓷电容器;GRM32ER72A225KA35L应用范围:通用;产品描述:CAP CER 2.2UF 100V X7R 1210

功能描述

Airfast RF Power GaN Transistor

封装外壳

1210(3225 公制)

文件大小

207.73 Kbytes

页面数量

13

生产厂商 NXP Semiconductors
企业简称

nxp恩智浦

中文名称

恩智浦半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-3 9:10:00

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GRM32ER72A225KA35L规格书详情

This 24 dBm RF power GaN transistor is designed for cellular base station

applications covering the frequency range of 2496 to 2690 MHz.

Features

• High terminal impedances for optimal broadband performance

• Designed for low complexity linearization systems

• Universal broadband driver

• Optimized for massive MIMO active antenna systems for 5G base stations

产品属性

  • 产品编号:

    GRM32ER72A225KA35L

  • 制造商:

    Murata Electronics

  • 类别:

    电容器 > 陶瓷电容器

  • 系列:

    GRM

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 容差:

    ±10%

  • 电压 - 额定:

    100V

  • 温度系数:

    X7R

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C

  • 应用:

    通用

  • 安装类型:

    表面贴装,MLCC

  • 封装/外壳:

    1210(3225 公制)

  • 大小 / 尺寸:

    0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)

  • 厚度(最大值):

    0.106"(2.70mm)

  • 描述:

    CAP CER 2.2UF 100V X7R 1210

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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