GRM32ER72A225KA35L电容器的陶瓷电容器规格书PDF中文资料

厂商型号	GRM32ER72A225KA35L
参数属性	GRM32ER72A225KA35L 封装/外壳为1210（3225 公制）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为电容器的陶瓷电容器；GRM32ER72A225KA35L应用范围：通用；产品描述：CAP CER 2.2UF 100V X7R 1210
功能描述	Airfast RF Power GaN Transistor
封装外壳	1210（3225 公制）
文件大小	207.73 Kbytes
页面数量	13 页
生产厂商	恩XP
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-11-20 10:36:00
人工找货	GRM32ER72A225KA35L价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

This 24 dBm RF power GaN transistor is designed for cellular base station

applications covering the frequency range of 2496 to 2690 MHz.

特性 Features

• High terminal impedances for optimal broadband performance

• Designed for low complexity linearization systems

• Universal broadband driver

• Optimized for massive MIMO active antenna systems for 5G base stations

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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