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GRM1555C1H471JA01	文件：1.35533 Mbytes Page：28 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HighEfficiency/LinearityAmplifier TheMMZ09312Bisa2--stagehighefficiency,ClassABInGaPHBTamplifierdesignedforuseasalineardriveramplifierinwirelessbasestationapplicationsaswellasanoutputstageinfemtocellorr	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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GRM1555C1H471JA01	文件：353.89 Kbytes Page：23 Pages	InGaP HBT Linear Amplifier 1Generaldescription TheMMZ25333Bisaversatile3−stagepoweramplifiertargetedatdriverandpre−driverapplicationsformacroandmicrobase stationsandfinal−stageapplicationsforsmallcells.Itsversatiledesignallowsoperationinanyfrequencybandfrom1500to 2700MHzprovidingg	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
GRM1555C1H471JA01D	文件：445.68 Kbytes Page：4 Pages	Ceramic Capacitors(SMD) Specifications 180mmPaperTape 180mmPaperTape(W8P1) 330mmPaperTape	MURATA1Murata Manufacturing Co., Ltd 村田村田制作所	MURATA1
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GRM1555C1H471JA01D	文件：3.42938 Mbytes Page：220 Pages	Chip Monolithic Ceramic Capacitors	MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所	MuRata
GRM1555C1H471JA01D	文件：1.25882 Mbytes Page：14 Pages	75 28dB CATV Doubler Amplifier 47 ??1218MHz	QORVOQorvo, Inc Qorvo	QORVO
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详细参数

型号：
GRM1555C1H471JA01
功能描述：
多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 0402 470pF 50volts C0G 5%
RoHS：
否
制造商：
American Technical Ceramics(ATC)
电容：
10 pF
容差：
1 %
电压额定值：
250 V
温度系数/代码：
C0G(NP0) 外壳代码 -
in：
0505 外壳代码 -
mm：
1414
工作温度范围：
- 55 C to + 125 C
产品：
Low ESR MLCCs
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市创新迹电子有限公司	GRM1555C1H471JA01	村田(muRata)	23+	SMD	100000	原装现货、价格优势、可开发票	询价
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