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GRM1555C1H102JA01	文件：787.25 Kbytes Page：30 Pages	ChipMultilayerCeramicCapacitorsforGeneralPurpose	MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所	MuRata
GRM1555C1H102JA01	文件：505.15 Kbytes Page：4 Pages	CeramicCapacitors(SMD) Specifications 180mmPaperTape 180mmPaperTape(W8P1) 330mmPaperTape	MURATA1Murata Manufacturing Co., Ltd 村田村田制作所	MURATA1
GRM1555C1H102JA01D	文件：2.15292 Mbytes Page：28 Pages	400MHz??2700MHz13dBtypicalmaxgain	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
GRM1555C1H102JA01D	文件：2.5511 Mbytes Page：40 Pages	DualPathLowbandRFReceiver400MHzto1100MHz	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
GRM1555C1H102JA01D	文件：3.27889 Mbytes Page：43 Pages	DualPathHighbandRFReceiver1400MHzto2700MHz	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
GRM1555C1H102JA01D	文件：2.45306 Mbytes Page：20 Pages	SpuriousFreeDesignAttenuationError0.3dB@2GHz	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
GRM1555C1H102JA01D	文件：1.59147 Mbytes Page：27 Pages	DPDDemodulatorforPALinearization,1300MHzto2900MHz FEATURES(IORQPATH) •WideflatperformanceIFBW •WideRFandLOBWs(~1.6GHz) •IdealforMulti-CarrierSystems •DrivesADCdirectly •Ultralinear+41dBmIP3O •LowNoiseFigure •ExcellentACLRperformance •200Ωoutputimpedance •FullyintegratedDPDdemodulator •6x636pin	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
GRM1555C1H102JA01D	文件：505.15 Kbytes Page：4 Pages	CeramicCapacitors(SMD) Specifications 180mmPaperTape 180mmPaperTape(W8P1) 330mmPaperTape	MURATA1Murata Manufacturing Co., Ltd 村田村田制作所	MURATA1
GRM1555C1H102JA01D	文件：2.3819 Mbytes Page：17 Pages	6-bit0.5dBDigitalStepAttenuator	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
GRM1555C1H102JA01D	文件：2.01829 Mbytes Page：26 Pages	RFtoIFDualDownconvertingMixer	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
GRM1555C1H102JA01D	文件：1.89149 Mbytes Page：13 Pages	IntermediateFrequencyDigitalVariableGainAmplifier	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
GRM1555C1H102JA01D	文件：1.35661 Mbytes Page：25 Pages	DPDDemodulatorforPALinearization	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
GRM1555C1H102JA01D	文件：1.34329 Mbytes Page：50 Pages	WirelessSecurityRemoteControlDevelopmentKitUser?셲Guide	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
GRM1555C1H102JA01D	文件：2.03924 Mbytes Page：27 Pages	MatchedBroadbandRFVGA	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
GRM1555C1H102JA01D	文件：1.86157 Mbytes Page：28 Pages	DPDDemodulatorforPALinearization	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
GRM1555C1H102JA01D	文件：2.79932 Mbytes Page：23 Pages	Glitch-FreeTM,0.6dBtransientovershootSpuriousFreeDesign	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
GRM1555C1H102JA01D	文件：1.6039 Mbytes Page：20 Pages	RFtoIFDualDownconvertingMixer	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
GRM1555C1H102JA01D	文件：3.42938 Mbytes Page：220 Pages	ChipMonolithicCeramicCapacitors	MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所	MuRata
GRM1555C1H102JA01D	文件：1.64167 Mbytes Page：26 Pages	RFtoIFDualDownconvertingMixer	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
GRM1555C1H102JA01D	文件：4.99036 Mbytes Page：26 Pages	RFtoIFDualDownconvertingMixer	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT

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详细参数

型号：
GRM1555C1H102JA01E
功能描述：
多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 0402 1000pF 50volt C0G +/-5%
RoHS：
否
制造商：
American Technical Ceramics(ATC)
电容：
10 pF
容差：
1 %
电压额定值：
250 V
温度系数/代码：
C0G(NP0) 外壳代码 -
in：
0505 外壳代码 -
mm：
1414
工作温度范围：
- 55 C to + 125 C
产品：
Low ESR MLCCs
封装：
Reel

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更多GRM1555C1H102JA01E供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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