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GRM1555C1H101JA01电容器的陶瓷电容器规格书PDF中文资料

GRM1555C1H101JA01
厂商型号

GRM1555C1H101JA01

参数属性

GRM1555C1H101JA01 封装/外壳为0402(1005 公制);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为电容器的陶瓷电容器;GRM1555C1H101JA01应用范围:通用;产品描述:CAP CER 100PF 50V C0G/NP0 0402

功能描述

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

封装外壳

0402(1005 公制)

文件大小

342.39 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 未知制造商
企业简称

恩XP

中文名称

未知制造商

数据手册

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更新时间

2025-6-24 22:59:00

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GRM1555C1H101JA01规格书详情

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

High Efficiency/Linearity Amplifier

The MMA25312B is a 2-stage high efficiency InGaP HBT driver amplifier designed for use in 2400 MHz ISM applications, WLAN (802.11g), WiMAX (802.16e) and wireless broadband mesh networks. It is suitable for applications with frequencies from 2300 to 2700 MHz using simple external matching components with a 3 to 5 V supply.

Features

• Frequency: 2300-2700 MHz

• P1dB: 31 dBm @ 2500 MHz

• Power Gain: 26 dB @ 2500 MHz

• Third Order Output Intercept Point: 40 dBm @ 2500 MHz

• Active Bias Control (On-chip)

• Single 3 to 5 V Supply

• Single-ended Power Detector

• Cost-effective 12-pin, 3 mm QFN Surface Mount Plastic Package

• In Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units, 12 mm Tape Width, 7-inch Reel.

产品属性

  • 产品编号:

    GRM1555C1H101JA01D

  • 制造商:

    Murata Electronics

  • 类别:

    电容器 > 陶瓷电容器

  • 系列:

    GRM

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 容差:

    ±5%

  • 电压 - 额定:

    50V

  • 温度系数:

    C0G,NP0

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C

  • 应用:

    通用

  • 安装类型:

    表面贴装,MLCC

  • 封装/外壳:

    0402(1005 公制)

  • 大小 / 尺寸:

    0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)

  • 厚度(最大值):

    0.022"(0.55mm)

  • 描述:

    CAP CER 100PF 50V C0G/NP0 0402

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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