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SF2073B	文件：423.97 Kbytes Page：9 Pages	456.00MHzSAWFilter 456.00MHzSAWFilter •Designedfor802.16andWIMAXReceiverIFApplication •LowInsertionLoss •5.0X7.0mmSurface-MountCase •DifferentialorSingleEndedInputandOutput •ComplieswithDirective2002/95/EC(RoHS)	MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所	MuRata
STC2073D	文件：345.11 Kbytes Page：6 Pages	Generalpurposeamplifier	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
STC2073F	文件：404.72 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconTransistor Descriptions •Generalpurposeamplifier •Highvoltageapplication Features •Highcollectorbreakdownvoltage :VCEO=160V •Lowcollectorsaturationvoltage :VCE(sat)=0.5V(MAX.) •“Green”deviceandRoHScompliantdevice •Availableinfulllead(Pb)-freedevice	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
STC2073F	文件：404.72 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconTransistor	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
STC2073L	文件：349.87 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconTransistor Descriptions •Generalpurposeamplifier •Highvoltageapplication Features •Highcollectorbreakdownvoltage :VCEO=160V •Lowcollectorsaturationvoltage :VCE(sat)=0.5V(MAX.)	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
STC2073Q	文件：339.83 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconTransistor	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
STC2073Q	文件：428.1 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconTransistor Descriptions •Generalpurposeamplifier •Highvoltageapplication Features •Highcollectorbreakdownvoltage :VCEO=160V •Lowcollectorsaturationvoltage :VCE(sat)=0.5V(MAX.)	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
TA2073A	文件：454.67 Kbytes Page：7 Pages	SAWFilter2043.5MHz	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
UAA2073AM	文件：157.5 Kbytes Page：20 Pages	Imagerejectingfront-endforGSMapplications	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
UAA2073M	文件：105.68 Kbytes Page：16 Pages	Imagerejectingfront-endforGSMapplications	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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