GR5526RGNI数据手册GOODiX中文资料规格书

描述 Description

GR5526系列芯片是支持Bluetooth 5.3的单模低功耗蓝牙系统级芯片（SoC），支持低功耗AoA/AoD定位及LE Audio技术，可配置为广播者（Broadcaster）、观察者（Observer）、外围设备（Peripheral）和中央设备（Central）及各种角色的组合应用，可广泛应用于物联网（IoT）及智能穿戴领域。

GR5526系列基于ARM® Cortex®-M4F CPU内核，集成了蓝牙5.3协议栈、2.4 GHz射频收发器、片上可编程Flash存储、RAM及多种外设。为支持更多传感器（Sensor）应用扩展，GR5526系列提供了丰富的显示和图形解决方案，增加了I2C及UART数量，支持外置或内置PSRAM及更多I/O接口，以适应显示开销，同时为各类可穿戴应用提供了充裕的存储空间。

特性 Features

• 集成控制器和主机层的低功耗蓝牙5.3收发器
-数据传输速率：1 Mbps、2 Mbps、Long Range（500 kbps、125 kbps）
-TX发射功率：-20 dBm ~ +7 dBm
--98 dBm接收灵敏度（1 Mbps模式下）
--94 dBm接收灵敏度（2 Mbps模式下）
--101 dBm接收灵敏度（Long Range 500 kbps模式下）
--104 dBm接收灵敏度（Long Range 125 kbps模式下）
-TX发射功耗：4.0 mA @ 0 dBm, 1 Mbps, 96 MHz
-RX接收功耗：3.5 mA @ 1 Mbps, 96 MHz
-AoA/AoD、LE同步通道
• 内置ARM® Cortex®-M4F 32位微处理器，支持浮点运算
-时钟频率最高可达96 MHz
-内置内存保护单元（MPU），支持8个可编程区域
-支持硬件浮点运算单元（FPU）
-内置嵌套向量中断控制器（NVIC）
-支持不可屏蔽中断（NMI）输入
-SWD含16个断点、2个监测点以及1个调试时间戳计数器
-在Flash执行的功耗为51 µA/MHz @ 3.3 V, 96 MHz
• 片内存储
-512 KB数据SRAM，支持数据留存
-8 KB缓存SRAM，支持数据留存
-Stack ROM（包含启动流程和蓝牙协议栈）
-内置1 MB QSPI Flash
-内置8 MB PSRAM（仅适用于GR5526VGBIP和GR5526RGNIP）
• 数字外设
-2 * DMA引擎，分别支持6个通道以及多达16个可编程请求和触发源
-支持片内12 Mbps PHY的USB 2.0全速模式控制器和专用DMA控制器
-集成Octal SPI DDR接口，支持内置8 MB PSRAM，传输速率最高可达48 MHz（仅适用于GR5526VGBIP和GR5526RGNIP）
• 模拟外设
-13位感测ADC，支持1 Msps采样率和多达11个通道（8个外部I/O通道和3个内部信号通道）
-内置温度和电压传感器
-低功耗比较器，支持从Deep Sleep模式唤醒设备
• 丰富的串口外设
-6 * UART接口，均支持流控和IrDA，传输速率最高可达4 Mbps
-6 * I2C接口，支持外设通信，传输速率最高可达3.4 MHz
-1 * 8-bit/16-bit/32-bit SPI Master接口，1 * SPI Slave接口供主机通信使用
-2 * I2S接口（1 * I2S Master接口以及1 * I2S Slave接口）
-PDM接口，支持硬件采样率转换器
-1 * ISO7816接口
• 显示屏以及图像处理
-2.5D GPU支持图像加速处理（仅适用于GR5526VGBIP和GR5526RGNIP）
-面向显示屏的DSPI接口，支持MIPI DSI Type-C接口协议
-三路频率高达48 MHz QSPI接口，支持内存映射，可快速访问外置NOR Flash
-集成DC模块，支持MIPI DSI Type-C接口协议和2D图像混合技术（仅适用于GR5526VGBIP和GR5526RGNIP）
• 安全
-提供完善的安全计算引擎：
AES 128-bit/192-bit/256-bit加密（ECB和CBC）
HMAC-SHA256哈希加密算法
PKC
TRNG
-提供全面的安全运行机制：
安全启动
加密固件直接从Flash运行
密钥加密后存储至eFuse中
应用数据密钥不同于固件密钥，支持一机一密
• I/O外设
-50个I/O引脚
34个通用型I/O引脚
8个支持睡眠唤醒的I/O引脚
8个可配置数字模拟接口的混合信号I/O引脚
• 计时器
-2 * 32位计时器
-1路计时器支持两个可编程递减计数器，可为32位或16位
-1路内置睡眠计时器用于将设备从Deep Sleep模式下唤醒
-2 * PWM模块，支持边沿对齐模式和中心对齐模式，各模块分别配有3路通道
-两路实时计数器（RTC）：1路RTC和1路用于实现Calendar
• 电源管理
-片内DC-DC转换器提供RF模拟电压并支持为核心LDO供电
-片内I/O LDO提供I/O电压并支持为外部器件供电；最大I/O LDO驱动电流：30 mA
-用于掉电检测（BOD）的可编程阈值
-电源电压：2.4 V ~ 4.35 V
-I/O电压：1.8 V ~ 3.6 V
• 低功耗模式
-Sleep模式：3.1 µA；3.3 V VBAT电源输入、启用128 KB SRAM数据留存并关闭LFXO_32K；支持8个AON电源域唤醒源
-OFF模式：200 nA；除了VBAT以外，其他部件均被关闭，芯片处于复位状态
• 封装类型
-BGA83：4.3 mm * 4.3 mm，0.4 mm焊球间距
-QFN68：7.0 mm * 7.0 mm，0.35 mm焊盘间距
• 工作温度：-40 °C ~ +85 °C