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GQM2195C2ER50BB12D

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

Features  Advanced high performance in--package Doherty  Greater negative gate--source voltage range for improved Class C operation  Designed for digital predistortion error correction systems

文件:805.06 Kbytes 页数:23 Pages

恩XP

恩XP

GQM2195C2ER50BB12D

RF Power GaN Transistor

文件:379.6 Kbytes 页数:9 Pages

恩XP

恩XP

GQM2195C2ER50BB12D

RF Power GaN Transistor

文件:346.8 Kbytes 页数:9 Pages

恩XP

恩XP

GQM2195C2ER50BB12D

Package:0805(2012 公制);包装:卷带(TR) 类别:电容器 陶瓷电容器 描述:CAP CER 0.5PF 250V NP0 0805

MURATA1

村田

GQM2195C2ER50BB12D

Package:0805(2012 公制);包装:卷带(TR) 类别:电容器 陶瓷电容器 描述:CAP CER 0.5PF 250V NP0 0805

MURATA1

村田

产品属性

  • 产品编号:

    GQM2195C2ER50BB12D

  • 制造商:

    Murata Electronics

  • 类别:

    电容器 > 陶瓷电容器

  • 系列:

    GQM

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 容差:

    ±0.1pF

  • 电压 - 额定:

    250V

  • 温度系数:

    C0G,NP0

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C

  • 特性:

    高 Q 值,低损耗

  • 应用:

    RF,微波,高频

  • 安装类型:

    表面贴装,MLCC

  • 封装/外壳:

    0805(2012 公制)

  • 大小 / 尺寸:

    0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)

  • 厚度(最大值):

    0.039"(1.00mm)

  • 描述:

    CAP CER 0.5PF 250V NP0 0805

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
MURATA(村田)
2021/2022+
标准封装
20000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站
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10000
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更多GQM2195C2ER50BB12D供应商 更新时间2025-10-5 10:30:00