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GQM2195C2E100GB12D

Airfast RF Power GaN Transistor

1 General description This 85 W asymmetrical Doherty RF power GaN transistor is designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 1930 to 1995 MHz. This part is characterized and performance is guaranteed for ap

文件:491.07 Kbytes 页数:15 Pages

恩XP

恩XP

GQM2195C2E100GB12D

Package:0805(2012 公制);包装:卷带(TR) 类别:电容器 陶瓷电容器 描述:CAP CER 10PF 250V NP0 0805

Murata Electronics

Murata Electronics

GQM2195C2E100GB12D

Package:0805(2012 公制);包装:卷带(TR) 类别:电容器 陶瓷电容器 描述:CAP CER 10PF 250V NP0 0805

Murata Electronics

Murata Electronics

GQM2195C2E100GB12

Ceramic Capacitors(SMD)

文件:1.72166 Mbytes 页数:32 Pages

MURATA

村田

GQM2195C2E100GB12

Ceramic Capacitors(SMD)

文件:1.72176 Mbytes 页数:32 Pages

MURATA

村田

产品属性

  • 产品编号:

    GQM2195C2E100GB12D

  • 制造商:

    Murata Electronics

  • 类别:

    电容器 > 陶瓷电容器

  • 系列:

    GQM

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 容差:

    ±2%

  • 电压 - 额定:

    250V

  • 温度系数:

    C0G,NP0

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C

  • 特性:

    高 Q 值,低损耗

  • 应用:

    RF,微波,高频

  • 安装类型:

    表面贴装,MLCC

  • 封装/外壳:

    0805(2012 公制)

  • 大小 / 尺寸:

    0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)

  • 厚度(最大值):

    0.039"(1.00mm)

  • 描述:

    CAP CER 10PF 250V NP0 0805

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
muRata(村田)
26+
0805
40000000
贴片电容(MLCC)-容值:10pF,精度:±2%,额定电压:250V,温度系数:C0G
询价
muRata
17+
SMD
100000
原装正品现货
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Murata Electronics
23+
SMD
50000
全新原装正品现货,支持订货
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MURATA/村田
23+
Q
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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MURATA
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0805
4000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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muRata(村田)
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0805
6895
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TSSOP-20
5000
只做原厂原装 可含税 欢迎咨询
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Murata(村田)
25+
N/A
15000
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Murata/村田
2025+
SMD
4682328
原装正品现货,一站式配齐
询价
更多GQM2195C2E100GB12D供应商 更新时间2026-10-11 20:27:00