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INA333	文件：2.33492 Mbytes Page：32 Pages	INA630Precision,126dBCMRR,IndirectCurrentFeedbackInstrumentationAmplifier 1Features •Optimizedforcostandsizesensitiveapplications •Super-betabipolarprecision: –Highcommon-moderejection:126dB (minimum)forG=20V/Vto1000V/V –Lowoffsetvoltage:50μV(typical),350μV (maximum) –Lowoffsetvoltagedrift:0.5μV/ºC(typical), 2μV/°C(maximum) –L	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
INA333	文件：581.34 Kbytes Page：27 Pages	Micro-Power,Zerø-Drift,Rail-to-RailOutInstrumentationAmplifier FEATURES •LowOffsetVoltage:25μV(maxat25°C), G≥100 •LowDrift:0.2μV/°C,G≥1000 •LowNoise:55nV/√Hz,G≥100 •HighCMRR:100dB(minat25°C),G≥10 •SupplyRange:+1.8Vto+5.5V •InputVoltage:(V–)+0.1Vto(V+)–0.1V •OutputRange:(V–)+0.05Vto(V+)–0.05V •	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2

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INA333

文件：2.33492 Mbytes

Page：32 Pages

INA630Precision,126dBCMRR,IndirectCurrentFeedbackInstrumentationAmplifier

1Features •Optimizedforcostandsizesensitiveapplications •Super-betabipolarprecision: –Highcommon-moderejection:126dB (minimum)forG=20V/Vto1000V/V –Lowoffsetvoltage:50μV(typical),350μV (maximum) –Lowoffsetvoltagedrift:0.5μV/ºC(typical), 2μV/°C(maximum) –L

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI1

INA333

文件：581.34 Kbytes

Page：27 Pages

Micro-Power,Zerø-Drift,Rail-to-RailOutInstrumentationAmplifier

FEATURES •LowOffsetVoltage:25μV(maxat25°C), G≥100 •LowDrift:0.2μV/°C,G≥1000 •LowNoise:55nV/√Hz,G≥100 •HighCMRR:100dB(minat25°C),G≥10 •SupplyRange:+1.8Vto+5.5V •InputVoltage:(V–)+0.1Vto(V+)–0.1V •OutputRange:(V–)+0.05Vto(V+)–0.05V •

TI2Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI2

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详细参数

型号：
GP333
功能描述：
瓷片电容器 1000V 330pF DISC
RoHS：
否
制造商：
Vishay/Cera-Mite
电容：
0.01 uF
容差：
20 %
电压额定值：
3 kV
工作温度范围：
- 25 C to + 105 C 损耗因数
端接类型：
Radial
产品：
High Voltage Ceramic Disc Capacitors

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更多GP333供应商更新时间2025-7-24 15:01:00

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