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GP30JHE3/73分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

GP30JHE3/73
厂商型号

GP30JHE3/73

参数属性

GP30JHE3/73 封装/外壳为DO-201AD,轴向;包装为带盒(TB);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

功能描述

Glass Passivated Junction Plastic Rectifiers

封装外壳

DO-201AD,轴向

文件大小

87.59 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Vishay Siliconix
企业简称

Vishay威世科技

中文名称

威世科技半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-19 23:00:00

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GP30JHE3/73规格书详情

FEATURES

• Superectifier structure for high reliability condition

• Cavity-free glass-passivated junction

• Low leakage current, typical IR less than 0.1 μA

• Low forward voltage drop

• High forward surge capability

• Meets environmental standard MIL-S-19500

• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

• AEC-Q101 qualified

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

    For use in high voltage rectification of power supply, inverters, converters, freewheeling diodes and snubber circuit application.

产品属性

  • 产品编号:

    GP30JHE3/73

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, Superectifier®

  • 包装:

    带盒(TB)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    3A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-201AD,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-201AD

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

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