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RGP02-16E	文件：77.97 Kbytes Page：4 Pages	GlassPassivatedJunctionFastSwitchingRectifier FEATURES •Superectifierstructureforhighreliabilitycondition •Cavity-freeglass-passivatedjunction •Fastswitchingforhighefficiency •Lowleakagecurrent,typicalIRlessthan0.2μA •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 TYPICALAPPLICATI	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
RGP02-16E	文件：90.34 Kbytes Page：5 Pages	GlassPassivatedJunctionFastSwitchingPlasticRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
RGP02-16E	文件：4.71221 Mbytes Page：2 Pages	GlassPassivatedJunctionFastSwitchingRectifier 1200V-2000V0.5A FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratories FlammabilityClassification94V-0 •Hightemperaturemetallurgicallybondedconstruction •CapableofmeetingenvironmentalstandardsofMIL-S-19500 •Foruseinhighfrequencyrectifiercircuits •Fastswitchingf	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司	TAYCHIPST
RGP02-16E	文件：47.24 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYRECTIFIER VOLTAGERANGE:1200---2000V CURRENT:0.5A FEATURES ◇Lowcost ◇Diffusedjunction ◇Lowleakage ◇Lowforwardvoltagedrop ◇Highcurrentcapability ◇TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94V-0 ◇EasilycleanedwithFreon,Alcohol,Isopropanolandsimilarsolvents	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
RGP02-16E	文件：122.76 Kbytes Page：2 Pages	0.5AmpFASTSWITCHINGMEGARECTIFIERS Features ■HIGHTEMPERATUREMETALLURGICALLYBONDEDCONSTRUCTION ■SINTEREDGLASSCAVITY-FREEJUNCTION ■0.5AMPOPERATION@TA=55°C,WITHNOTHERMALRUNAWAY ■TYPICALIR	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
RGP02-16E	文件：82.98 Kbytes Page：2 Pages	GlassPassivatedJunctionFastSwitchingRectifier ReverseVoltage1200to2000VForwardCurrent0.5A Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratories FlammabilityClassification94V-0 •Hightemperaturemetallurgicallybondedconstruction •CapableofmeetingenvironmentalstandardsofMIL-S-19500 •Foruseinhighfreque	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
RGP02-16E	文件：60.12 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONFASTSWITCHINGRECTIFIER ReverseVoltage-1200to2000VoltsForwardCurrent-0.5Ampere FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ♦Hightemperaturemetallurgicallybondedconstruction ♦CapableofmeetingenvironmentalstandardsofMIL-S-19500 ♦Foruseinhighfr	GE GE Industrial Company	GE
RGP02-16E	文件：19.03 Kbytes Page：2 Pages	HIGHVOLTAGEFASTRECOVERYRECTIFIERS	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
RGP02-16E	文件：29.67 Kbytes Page：2 Pages	GlassPassivatedJunctionFastSwitchingRectifier ReverseVoltage1200to2000VForwardCurrent0.5A Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratories FlammabilityClassification94V-0 •Hightemperaturemetallurgicallybondedconstruction •CapableofmeetingenvironmentalstandardsofMIL-S-19500 •Foruseinhighfreque	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
RGP02-16E	文件：139.33 Kbytes Page：2 Pages	SINTEREDGLASSJUNCTIONFASTSWITCHINGPLASTICRECTIFIERVOLTAGE:1200TO2000VCURRENT:0.5A VOLTAGE:1200TO2000V CURRENT:0.5A FEATURE Hightemperaturemetallurgicallybondedconstruction Sinteredglasscavityfreejunction Capabilityofmeetingenvironmentalstandardof MIL-S-19500 Hightemperaturesolderingguaranteed 350°C/10sec/0.375”leadlengthat5lbstension Operateat	GULFSEMIGulf Semiconductor 海湾电子海湾电子（山东）有限公司	GULFSEMI

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