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HGN169N20S5

丝印:GN169N20S5;Package:DFN5X6;200V N-Ch Power MOSFET

Feature ◇ High Speed Power Switching ◇ Enhanced Body diode dv/dt capability ◇ Enhanced Avalanche Ruggedness ◇ 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ◇ Lead Free, Halogen Free Application ◇ Synchronous Rectification in SMPS ◇ Hard Switching and High Speed Circuit ◇ DC/DC in Telecoms and I

文件:882.19 Kbytes 页数:6 Pages

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更多GN169N20S5供应商 更新时间2025-9-21 14:01:00