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HZ6.8CP	文件：46 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodesforVoltageController-VoltageLimitter Features •Widespectrumfrom1.88Vthrough40Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. •GlasspackageDO-41structureensureshighreliability.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HZ6.8CP	文件：73.55 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodesforVoltageController-VoltageLimitter	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZB6.8MWA	文件：65.69 Kbytes Page：5 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorb	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZC6.8	文件：34.42 Kbytes Page：6 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorb	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HZC6.8	文件：71.8 Kbytes Page：6 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorb	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZF6.8BP	文件：367.253 Kbytes Page：2 Pages	1W6.8VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
HZF6.8BP	文件：364.11 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
HZM6.8FA	文件：28.32 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorb	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HZM6.8MFA	文件：24.64 Kbytes Page：5 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorb	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HZM6.8MFA	文件：157.17 Kbytes Page：5 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorb Features •HZM6.8MFAhasfourdevicesinamonolithic,andcanabsorbsurge. •MPAK-5Packageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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详细参数

型号：
GMZ6.8
制造商：
PANJIT
制造商全称：
Pan Jit International Inc.
功能描述：
SURFACE MOUNT ZENER DIODES

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