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GMB01U

Very High-Speed Switching Diode

Epitaxial Planar Type Features • Glass sleeve structure • Allowable power dissipation : P = 250mW max. • Interterminal capacitance : c = 3.0pF max. • Reverse recovery time: trr = 4.0ns max. • Meets the requirements for high-speed automatic mounter (DO-34 package)

文件:50.82 Kbytes 页数:2 Pages

SANYO

三洋

GMB01U

Very High-Speed Switching Diode

ONSEMI

安森美半导体

GMK316AB7106KL-TR/MSASG31LAB7106KTNB25

1206

TAIYO YUDEN/太阳诱电

上传:深圳市胜励微电子有限公司

TAIYO YUDEN/太阳诱电

GMK316B7225KLHT

SMD

TAIYO-YUDEN

太阳诱电

上传:深圳市嘉合泰电子有限公司

GMK316B7225KLHT

SMD

TAIYO-YUDEN

太阳诱电

上传:深圳市嘉合泰电子有限公司

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更多GMB01U供应商 更新时间2026-1-25 15:01:00