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HZ8.2CP	文件：46 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodesforVoltageController-VoltageLimitter Features •Widespectrumfrom1.88Vthrough40Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. •GlasspackageDO-41structureensureshighreliability.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HZC8.2	文件：34.42 Kbytes Page：6 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorb	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HZC8.2	文件：71.8 Kbytes Page：6 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorb	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZF8.2BP	文件：367.253 Kbytes Page：2 Pages	1W8.2VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
HZF8.2BP	文件：364.11 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
HZM8.2N	文件：193.81 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer Features •Widespectrumfrom1.9Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. •MPAKPackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZM8.2N	文件：193.81 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZM8.2N	文件：37.01 Kbytes Page：10 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HZM8.2N	文件：92.21 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZM8.2N	文件：210.1 Kbytes Page：10 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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详细参数

型号：
GLZ8.2C
制造商：
PANJIT
制造商全称：
Pan Jit International Inc.
功能描述：
SURFACE MOUNT ZENER DIODES

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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