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BD949	文件：128.1 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD949	文件：89.63 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD949	文件：56.53 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD949	文件：88.92 Kbytes Page：3 Pages	NPNPLASTICPOWERTRANSISTORS BD949,951,953,955NPNPLASTICPOWERTRANSISTORS BD950,952,954,956PNPPLASTICPOWERTRANSISTORS	CDIL CDIL	CDIL
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BD949F	文件：192.49 Kbytes Page：2 Pages	ComplementtoTypeBD950F/952F/954F/956F	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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BDP949	文件：524.11 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNPNTransistors	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BDP949	文件：40.25 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconAFPowerTransistors(ForAFdriversandoutputstagesHighcollectorcurrentHighcurrentgain) NPNSiliconAFPowerTransistors •ForAFdriversandoutputstages •Highcollectorcurrent •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytype:BDP948,BDP950(PNP)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BDP949	文件：44.75 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNTransistor SiliconNPNTransistors •ForAFdriverandoutputstages •Highcollectorcurrent •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytypes:BDP948,BDP950, BDP954(PNP) •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR949	文件：100.99 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconRFTransistor Preliminarydata ●Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom1mAto20mA ●fT=9GHz F=1dBat1GHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR949F	文件：100.99 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconRFTransistor Preliminarydata ●Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom1mAto20mA ●fT=9GHz F=1dBat1GHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR949T	文件：68.44 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor ●Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom1mAto20mA ●fT=9GHz F=1.0dBat1GHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BTS949	文件：228.98 Kbytes Page：11 Pages	SmartLowsidePowerSwitch	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BTS949	文件：181.6 Kbytes Page：11 Pages	SmartLowsidePowerSwitch GeneralDescription NchannelverticalpowerFETinSmartSIPMOS®chiponchiptechnology.Fullyprotectedbyembeddedprotectedfunctions. Features •LogicLevelInput •InputProtection(ESD) •ThermalShutdown •Overloadprotection •Shortcircuitprotection •Overvoltageprotection •	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
CDCE949	文件：376.95 Kbytes Page：21 Pages	Programmable1-PLLVCXOClockSynthesizerWith1.8-V,2.5-V,and3.3-VOutputs	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
CDCE949	文件：522.049 Kbytes Page：31 Pages	Programmable4-PLLVCXOClockSynthesizerwith1.8V,2.5Vand3.3VLVCMOSOutputs	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
CDCE949	文件：488.42 Kbytes Page：31 Pages	Programmable4-PLLVCXOClockSynthesizerwith1.8V,2.5Vand3.3VLVCMOSOutputs	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

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详细参数

型号：
GL949
制造商：
GTM
制造商全称：
GTM
功能描述：
PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市拓亿芯电子有限公司	GL9510	GENESYS	23+	QFN	12500	全新原装现货,假一赔十	询价
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更多GL949供应商更新时间2024-5-15 10:30:00

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