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GL1S12N06L-D8中文资料场效应管(MOSFET)数据手册Guanglei规格书

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厂商型号

GL1S12N06L-D8

功能描述

场效应管(MOSFET)

制造商

Guanglei Guanglei Electronic Technology Co., Ltd.

中文名称

光磊电子 无锡光磊电子科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 18:50:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :GL1S12N06L-D8

  • 生产厂家

    :Guanglei

  • 漏源电压(Vdss)

    :60V

  • 连续漏极电流(Id)

    :12A

  • 功率(Pd)

    :2W

  • 阈值电压(Vgs(th)@Id)

    :1.4V@250uA

  • 栅极电荷(Qg@Vgs)

    :6.6nC@10V

  • 输入电容(Ciss@Vds)

    :250pF@30V

  • 反向传输电容(Crss@Vds)

    :20pF@30V

  • 工作温度

    :-55℃~+175℃@(Tj)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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