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GL12-HT3-GS08	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-WDFN；包装：卷带（TR）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 12VWM 24VC LLP75-3B	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
GSOT12-HT3-GS08	文件：99.64 Kbytes Page：5 Pages	ESD Protection Diode 文件：99.64 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
GL322	文件：0 bytes Page：0 Pages	LQFP1280-MXGXX	台湾Genesys系列上传：深圳市柯尔基电子有限公司	台湾Genesys系列
GL3221	文件：0 bytes Page：0 Pages	LQFP48	台湾创惟GL 上传：深圳市柯尔基电子有限公司	台湾创惟GL
GL3224	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN48	Genesys 创惟科技上传：深圳市东来宝电子科技有限公司	Genesys

产品属性

产品编号：
GL12-HT3-GS08
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
卷带（TR）
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
12V
电压 - 击穿（最小值）：
13.3V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
24V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
12A（8/20µs）
功率 - 峰值脉冲：
300W
电源线路保护：
无
应用：
通用
不同频率时电容：
5pF @ 1MHz
工作温度：
-55°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
3-WDFN
供应商器件封装：
LLP75-3B
描述：
TVS DIODE 12VWM 24VC LLP75-3B

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