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GJ90T03	文件：235.03 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司
90T03GH	文件：212.61 Kbytes Page：6 Pages	LowerOn-resistance,SimpleDriveRequirement Description TheTO-252packageiswidelypreferredforcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicationssuchasDC/DCconverters.Thethrough-holeversion(AP90T03GJ)isavailableforlow-profileapplications. ▼LowerOn-resistance ▼SimpleDriveRe	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
90T03GJ	文件：994.08 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
90T03J	文件：994.08 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
AP90T03GH	文件：212.61 Kbytes Page：6 Pages	LowerOn-resistance,SimpleDriveRequirement Description TheTO-252packageiswidelypreferredforcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicationssuchasDC/DCconverters.Thethrough-holeversion(AP90T03GJ)isavailableforlow-profileapplications. ▼LowerOn-resistance ▼SimpleDriveRe	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
AP90T03GH/J	文件：212.61 Kbytes Page：6 Pages	LowerOn-resistance,SimpleDriveRequirement Description TheTO-252packageiswidelypreferredforcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicationssuchasDC/DCconverters.Thethrough-holeversion(AP90T03GJ)isavailableforlow-profileapplications. ▼LowerOn-resistance ▼SimpleDriveRe	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
AP90T03GH-HF	文件：448.04 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
AP90T03GI	文件：157.91 Kbytes Page：5 Pages	FastSwitchingPerformance,SingleDriveRequirement Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220CFMisolationpackageiswidelypreferredforcommercial-industrialthroughholeapplications. ▼Fast	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
AP90T03GJ	文件：212.61 Kbytes Page：6 Pages	LowerOn-resistance,SimpleDriveRequirement Description TheTO-252packageiswidelypreferredforcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicationssuchasDC/DCconverters.Thethrough-holeversion(AP90T03GJ)isavailableforlow-profileapplications. ▼LowerOn-resistance ▼SimpleDriveRe	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
AP90T03GR	文件：68.86 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheAdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ▼LowerOn-resistance ▼SimpleDriveRequirement ▼FastSwitchingCharacteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
AP90T03GS	文件：166.36 Kbytes Page：5 Pages	LowerOn-resistance,SimpleDriveRequirement Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-263packageiswidelypreferredforcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvo	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
AP90T03GS-HF	文件：92.75 Kbytes Page：4 Pages	LowerOn-resistance,SimpleDriveRequirement Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness. TheTO-263packageiswidelypreferredforcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvo	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
AP90T03P	文件：152.13 Kbytes Page：5 Pages	LowerOn-resistance,SimpleDriveRequirement Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageiswidelypreferredforcommercial-industrialpowerapplicationsandsuitedforlowvoltageapplic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
GE90T03	文件：291.55 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	ETL E-Tech Electronics LTD
GE90T03	文件：287.9 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司
GI90T03	文件：278.4 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司
GU90T03	文件：312.05 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司
SSM90T03GH	文件：293.66 Kbytes Page：5 Pages	N-channelEnhancement-modePowerMOSFET	SSC Silicon Standard Corp.
SSM90T03GJ	文件：293.66 Kbytes Page：5 Pages	N-channelEnhancement-modePowerMOSFET	SSC Silicon Standard Corp.
SSM90T03GP	文件：294.83 Kbytes Page：5 Pages	N-channelEnhancement-modePowerMOSFET	SSC Silicon Standard Corp.

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详细参数

型号：
GJ90T03
制造商：
GTM
制造商全称：
GTM
功能描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	GJ90T03	GTM	23+	NA	39960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	GJ9402			DIP	92		询价
深圳市莱克讯科技有限公司	GJ9435	GTM	2017+	TO252	42500	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
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更多GJ90T03供应商更新时间2024-4-23 14:51:00

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