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GI751分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

GI751

参数属性

GI751 封装/外壳为P600,轴向;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 100V 6A P600

功能描述

High Current Axial Plastic Rectifier

封装外壳

P600,轴向

文件大小

76.51 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

VISHAY Vishay Siliconix

中文名称

威世 威世科技公司

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更新时间

2026-1-22 13:32:00

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GI751规格书详情

FEATURES

• Low forward voltage drop

• Low leakage current, IR less than 0.1 μA

• High forward current capability

• High forward surge capability

• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

  For use in general purpose rectification of power supplies, inverters, converters and freewheeling diodes application.

 

产品属性

  • 产品编号:

    GI751-E3/73

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    6A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    150pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    P600,轴向

  • 供应商器件封装:

    P600

  • 工作温度 - 结:

    -50°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 100V 6A P600

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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