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GI250-4E3/73	文件：102.58 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage Glass Passivated Junction Rectifier FEATURES • Superectifier structure for high reliability application • Cavity-free glass-passivated junction • Low leakage current • High forward surge capability • Meets environmental standard MIL-S-19500 • Solder dip 260 °C, 40 s • Component in accordance to RoHS 2002/95/EC 文件：102.58 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
GI250-4E3SLASH54	文件：102.58 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage Glass Passivated Junction Rectifier FEATURES • Superectifier structure for high reliability application • Cavity-free glass-passivated junction • Low leakage current • High forward surge capability • Meets environmental standard MIL-S-19500 • Solder dip 260 °C, 40 s • Component in accordance to RoHS 2002/95/EC 文件：102.58 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
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GI20N03	文件：241.03 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：241.03 Kbytes 页数：5 Pages	GTM 勤益投资控股	GTM
GI20P02	文件：245.99 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：245.99 Kbytes 页数：5 Pages	GTM 勤益投资控股	GTM
GI20T03	文件：244.88 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：244.88 Kbytes 页数：4 Pages	GTM 勤益投资控股	GTM

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