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GFW35HF60W	文件：639.12 Kbytes Page：17 Pages	35 A, 600 V Ultrafast IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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STGP35HF60W	文件：776.33 Kbytes Page：13 Pages	35A,600VUltrafastIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STGW35HF60W	文件：639.12 Kbytes Page：17 Pages	35A,600VUltrafastIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STGW35HF60WD	文件：369.91 Kbytes Page：3 Pages	TrenchField-StopIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V@IC=50A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·LowConductionLoss APPLICATIONS ·UninterruptedPowerSupply ·SolarConverters ·Weldingmachine ·EVCharger	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
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STGW35HF60WDI	文件：1.05555 Mbytes Page：15 Pages	35A,600VultrafastIGBTwithlowdropdiode Description ThisultrafastIGBTisdevelopedusinganew planartechnologytoyieldadevicewithtighter switchingenergyvariation(Eoff)versus temperature.ThesuffixWdenotesasubsetof productsdesignedforhighswitchingfrequency operation(over100kHz). Features ■ImprovedEo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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深圳市特顺芯科技有限公司	GFWB1	SOSHIN	2008++	SMD	68200	新进库存/原装	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	GFWB1	SOSHIN	2017+	2004	25896	深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增	询价
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