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GFW35HF60W	文件：639.12 Kbytes Page：17 Pages	型号：STGFW35HF60W；Package：TO-3PF；35 A, 600 V Ultrafast IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
GFW35HF60W
功能描述：
IGBT 晶体管 35A 600V UltraF IGBT Improved Eoff Temp
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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更多GFW35HF60W供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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