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GE200NB60S中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

GE200NB60S
厂商型号

GE200NB60S

功能描述

N-CHANNEL 150A - 600V - ISOTOP PowerMESH??IGBT

文件大小

274.57 Kbytes

页面数量

13

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 23:00:00

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GE200NB60S规格书详情

描述 Description

Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding performances. The suffix “S” identifies a family optimized to achieve very low VCE(sat) (@ max frequency of 1KHz).

General features

■ High input impedance (voltage driven)

■ Low on-voltage drop (Vcesat)

■ Off losses include tail current

■ Low gate charge

■ High current capability

Applications

■ Low frequency motor controls

■ Aluminum welding equipment

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