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GDZ8V2BLP3中文资料SURFACE MOUNT ZENER DIODE数据手册Diodes规格书
| 厂商型号 |
GDZ8V2BLP3 |
| 参数属性 | GDZ8V2BLP3 封装/外壳为0201（0603 公制）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的二极管-齐纳-单；产品描述：DIODE ZENER 8.2V 250MW 2DFN |
| 功能描述 | SURFACE MOUNT ZENER DIODE |
| 封装外壳 | 0201（0603 公制） |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-27 22:59:00 |
| 人工找货 | GDZ8V2BLP3价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
GDZ8V2BLP3规格书详情
描述 Description
ULTRA-SMALL LEADLESS SURFACE MOUNT ZENER DIODE
应用 Application
Voltage Regulation
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\t\t\t\tProduct Specifications
简介
GDZ8V2BLP3属于分立半导体产品的二极管-齐纳-单。由制造生产的GDZ8V2BLP3二极管 - 齐纳 - 单齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作，并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途，还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀，但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。
技术参数
更多- 制造商编号
：GDZ8V2BLP3
- 生产厂家
：Diodes
- Compliance (Only Automotive supports PPAP)
：Standard (Q on Request)
- Configuration
：Single
- Power Rating (µW)
：250 mW
- Nom VZ (V)
：8.2
- @ IZT (mA)
：5 mA
- Tol V (Typ) (%)
：2.5 %
- IR (µA)
：0.5 µA
- Packages
：X3-DFN0603-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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