GD5F1GQ4UFYIGR_集成电路（IC）存储器-ITE

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厂家型号：
GD5F1GQ4UFYIGR
制造商：
ITE/聯陽半導體
库存数量：
14473
类别：
集成电路（IC）存储器
封装外壳：
8-WDFN 裸露焊盘
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2024-6-23 10:02:00

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原厂料号：GD5F1GQ4UFYIGR品牌：GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

资料说明：IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON

GD5F1GQ4UFYIGR是集成电路（IC） > 存储器。制造商ITE/聯陽半導體生产封装8-WDFN 裸露焊盘的GD5F1GQ4UFYIGR存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

芯片型号：
gd5f1gq4ufyigr
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
ITE详情
厂商全称：
ITE Tech. Inc.
中文名称：
聯陽半導體
资料说明：
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON

产品属性

类型
描述
产品编号：
GD5F1GQ4UFYIGR
制造商：
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
闪存 - NAND
存储容量：
1Gb（128M x 8）
存储器接口：
SPI - 四 I/O
写周期时间 - 字，页：
700µs
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
8-WSON（6x8）
描述：
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON

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