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GD5F1GQ4UEZIH

SPI(x1/x2/x4)NANDFlash

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司

GD5F1GQ4UEZIS

SPI(x1/x2/x4)NANDFlash

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司

GD5F1GQ4UEZJG

SPI(x1/x2/x4)NANDFlash

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司

GD5F1GQ4UEZJH

SPI(x1/x2/x4)NANDFlash

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司

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SPI(x1/x2/x4)NANDFlash

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司

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SPI(x1/x2/x4)NANDFlash

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

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SPI(x1/x2/x4)NANDFlash

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

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SPI(x1/x2/x4)NANDFlash

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司

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GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

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GD5F1GQ4UFFIH

SPI(x1/x2/x4)NANDFlash

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    GD5F1GQ4UEYIGY

  • 制造商:

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    管件

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    闪存 - NAND

  • 存储容量:

    1Gb(128M x 8)

  • 存储器接口:

    SPI - 四 I/O

  • 写周期时间 - 字,页:

    700µs

  • 电压 - 供电:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-WDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    8-WSON(6x8)

  • 描述:

    IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
GigaDevice Semiconductor (HK)
24+
8-WSON(6x8)
56200
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GigaDevice
25+
25000
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GigaDevice Semiconductor (HK)
23+
8-WSON6x8
7300
专注配单,只做原装进口现货
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GigaDevice Semiconductor (HK)
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8-WSON6x8
7300
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GigaDevice Semiconductor (HK)
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GD/兆易创新
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WSON-8(86mm)
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更多GD5F1GQ4UEYIGY供应商 更新时间2025-7-26 10:03:00