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GD5F1GQ4UEYIG集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
GD5F1GQ4UEYIG |
| 参数属性 | GD5F1GQ4UEYIG 封装/外壳为8-WDFN 裸露焊盘；包装为管件；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON |
| 功能描述 | SPI(x1/x2/x4) NAND Flash |
| 封装外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 文件大小 |
1.64508 Mbytes |
| 页面数量 |
53 页 |
| 生产厂商 | GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc. |
| 企业简称 |
GIGADEVICE【兆易创新】 |
| 中文名称 | 北京兆易创新科技股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-3 23:00:00 |
| 人工找货 | GD5F1GQ4UEYIG价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
GD5F1GQ4UEYIG规格书详情
GD5F1GQ4UEYIG属于集成电路（IC）的存储器。由北京兆易创新科技股份有限公司制造生产的GD5F1GQ4UEYIG存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
更多- 产品编号：
GD5F1GQ4UEYIGY
- 制造商：
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
管件
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
闪存
- 技术：
闪存 - NAND
- 存储容量：
1Gb（128M x 8）
- 存储器接口：
SPI - 四 I/O
- 写周期时间 - 字，页：
700µs
- 电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-WDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
8-WSON（6x8）
- 描述：
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
GD(兆易创新) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
GigaDevice(兆易创新) |
24+ |
WSON8(6x8) |
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GD/兆易创新 |
25+ |
WSON-8(8x6mm) |
65248 |
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GD/兆易创新 |
21+ |
WSON-8(8x6mm) |
880000 |
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GigaDevice |
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GigaDevice Semiconductor (HK) |
23+/24+ |
8-WDFN |
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GD/兆易创新 |
22+ |
WSON-8(8x6mm) |
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GD/兆易创新 |
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WSON-8(8x6mm) |
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