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GD50MLX65F1S	文件：243.95 Kbytes Page：11 Pages	650V/50A in one-package General Description STARPOWER IGBT Power Module provides ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as 3-level-application. Features  Low VCE(sat) Trench IGBT technology  6μs short circuit capability  VCE(sat) with positive 文件：243.95 Kbytes 页数：11 Pages	STARPOWER 斯达半导体	STARPOWER
GD50MLX65F1S	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V/650V IGBT模块额定电压: 650V\n额定电流: 50A\n电路结构: ML=3 Level，Diode Clampling，NPC1\n芯片系列: X=Trench FS IGBT, Low Loss;	StarPower 斯达半导体	StarPower
GD5F1GM7REYIGR	文件：0 bytes Page：0 Pages	WSON8	GD/兆易创新上传：深圳市中飞凌科技有限公司	GD/兆易创新
GD5F1GQ4UBYIGY	文件：0 bytes Page：0 Pages	WSON8	GD北京兆易上传：深圳市华来深电子有限公司	GD北京兆易
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更多GD50MLX65F1S供应商更新时间2026-2-7 13:05:00