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GD25Q80ESIGR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：8MBIT NOR FLASH /3.3V /SOP8 208M	ITEITE Tech. Inc. 聯陽半導體	ITE
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25Q80BVAIG	文件：1.06856 Mbytes Page：75 Pages	8M-BITSERIALFLASHMEMORYWITHDUALANDQUADSPI GENERALDESCRIPTION TheW25Q80BV(8M-bit)SerialFlashmemoryprovidesastoragesolutionforsystemswithlimitedspace,pinsandpower.The25QseriesoffersflexibilityandperformancewellbeyondordinarySerialFlashdevices.TheyareidealforcodeshadowingtoRAM,executingcodedirectl	WinbondWinbond Electronics 华邦电子华邦电子股份有限公司	Winbond
25Q80BVAIG	文件：1.31858 Mbytes Page：75 Pages	8M-BITSERIALFLASHMEMORYWITDUALANDQUADSPI	WinbondWinbond Electronics 华邦电子华邦电子股份有限公司	Winbond
25Q80BVSIG	文件：1.31858 Mbytes Page：75 Pages	8M-BITSERIALFLASHMEMORYWITDUALANDQUADSPI	WinbondWinbond Electronics 华邦电子华邦电子股份有限公司	Winbond
25Q80BVSIG	文件：1.06856 Mbytes Page：75 Pages	8M-BITSERIALFLASHMEMORYWITHDUALANDQUADSPI GENERALDESCRIPTION TheW25Q80BV(8M-bit)SerialFlashmemoryprovidesastoragesolutionforsystemswithlimitedspace,pinsandpower.The25QseriesoffersflexibilityandperformancewellbeyondordinarySerialFlashdevices.TheyareidealforcodeshadowingtoRAM,executingcodedirectl	WinbondWinbond Electronics 华邦电子华邦电子股份有限公司	Winbond
25Q80DVNIG	文件：2.31505 Mbytes Page：71 Pages	3V8M-BITSERIALFLASHMEMORYWITHDUALANDQUADSPI	WinbondWinbond Electronics 华邦电子华邦电子股份有限公司	Winbond
25Q80DVSIG	文件：2.31505 Mbytes Page：71 Pages	3V8M-BITSERIALFLASHMEMORYWITHDUALANDQUADSPI	WinbondWinbond Electronics 华邦电子华邦电子股份有限公司	Winbond
EN25Q80A	文件：1.02789 Mbytes Page：50 Pages	8MegabitSerialFlashMemorywith4KbyteUniformSector GENERALDESCRIPTION TheEN25Q80Aisan8Megabit(1024K-byte)SerialFlashmemory,withadvancedwriteprotection mechanisms.TheEN25Q80AsupportsthestandardSerialPeripheralInterface(SPI),andahigh performanceDualoutputaswellasQuadI/OusingSPIpins:SerialClock,ChipSel	EON Eon Silicon Solution Inc.	EON
EN25Q80A	文件：1.0288 Mbytes Page：50 Pages	8MegabitSerialFlashMemorywith4KbyteUniformSector	EON Eon Silicon Solution Inc.	EON
EN25Q80B	文件：1.17022 Mbytes Page：64 Pages	8MegabitSerialFlashMemorywith4KbyteUniformSector	EON Eon Silicon Solution Inc.	EON
GD25Q80	文件：2.75889 Mbytes Page：49 Pages	3.3VUniformSectorDualandQuadSerialFlash	ELMElm Electronics ELMElm Electronics	ELM
GD25Q80C	文件：4.30145 Mbytes Page：28 Pages	MCU	GigaDeviceBeijing Zhaoyi Innovation Technology Co., Ltd 兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司	GigaDevice
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产品属性

产品编号：
GD25Q80ESIGR
制造商：
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
8Mb（1M x 8）
存储器接口：
SPI - 四 I/O
写周期时间 - 字，页：
70µs，2ms
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOP
描述：
8MBIT NOR FLASH /3.3V /SOP8 208M

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市福田区晶康业电子商行	GD25Q80ESIGR	GD	21+	SOP8	50000	全新原装,价格优势	询价
深圳市特莱科技有限公司	GD25Q80ESIGR	GD/兆易创新	23+	SOP8	6000	16年电子元件现货供应商终端BOM表可配单提供样品	询价
深圳市弘扬芯城科技有限公司	GD25Q80ESIGR	GigaDevice(兆易创新)	23+	SOP-8-208mil	5000	诚信服务,绝对原装原盘。	询价
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更多GD25Q80ESIGR供应商更新时间2024-4-30 10:10:00

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