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GD25Q40CTIGR

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD I/O 8SOP

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司

GD25Q40CTJG

3.3VUniformSectorDualandQuadSerialFlash

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司

HM25Q40A

3V4M-BITSERIALNORFLASHWITHDUALANDQUADSPI

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

HM25Q40B

3V4M-BITSERIALNORFLASHWITHDUALANDQUADSPI

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

HM25Q40C

3V4M-BITSERIALNORFLASHWITHDUALANDQUADSPI

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

P25Q40H

UltraLowPower,4M/2M/1M/512K-bitSerialMultiI/OFlashMemory

PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd

普冉股份普冉半导体(上海)股份有限公司

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PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd

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产品属性

  • 产品编号:

    GD25Q40CTIGR

  • 制造商:

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    FLASH - NOR

  • 存储容量:

    4Mb(512K x 8)

  • 存储器接口:

    SPI - 四 I/O

  • 写周期时间 - 字,页:

    50µs,2.4ms

  • 电压 - 供电:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOP

  • 描述:

    IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD I/O 8SOP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多GD25Q40CTIGR供应商 更新时间2025-4-30 16:04:00