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GD25Q256EYIGR

Package:8-WDFN 裸露焊盘;包装:管件 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:256MBIT NOR FLASH /3.3V /WSON8 8

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司

N25Q256A

Micron Serial NOR Flash Memory

Description The N25Q is the first high-performance multiple input/output serial Flash memory device manufactured on 65nm NOR technology. It features execute-in-place (XIP) functionality, advanced write protection mechanisms, and a high-speed SPI-compatible bus interface. The innovative, high-pe

文件:987.16 Kbytes 页数:90 Pages

Micron

美光

W25Q256FV

SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI

文件:2.80327 Mbytes 页数:109 Pages

WINBOND

华邦电子

W25Q256FVBIF

3V 256M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI

文件:1.74576 Mbytes 页数:108 Pages

WINBOND

华邦电子

产品属性

  • 产品编号:

    GD25Q256EYIGR

  • 制造商:

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    管件

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    FLASH - NOR

  • 存储容量:

    256Mb(32M x 8)

  • 存储器接口:

    SPI - 四 I/O

  • 写周期时间 - 字,页:

    50µs,2.4ms

  • 电压 - 供电:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-WDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    8-WSON(6x8)

  • 描述:

    256MBIT NOR FLASH /3.3V /WSON8 8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
GD(兆易创新)
ROHS/new original
*
10500
原装元器件供应现货支持。咨询更多现货库存,支持样
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GD(兆易创新)
24+
WSON-8(8x6)
7578
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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兆易创新
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WSON-8-EP(6x8)
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GD/兆易创新
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原装正品 渠道优势 有需要请联系
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GD(兆易创新)
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原装元器件供应现货支持。咨询更多现货库存,支持样
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WSON8
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GD/兆易创新
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WSON9
27000
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更多GD25Q256EYIGR供应商 更新时间2025-12-15 13:39:00