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GD25Q256EYIGR

Package:8-WDFN 裸露焊盘;包装:管件 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:256MBIT NOR FLASH /3.3V /WSON8 8

GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司

N25Q256A

MicronSerialNORFlashMemory

Description TheN25Qisthefirsthigh-performancemultipleinput/outputserialFlashmemorydevicemanufacturedon65nmNORtechnology.Itfeaturesexecute-in-place(XIP)functionality,advancedwriteprotectionmechanisms,andahigh-speedSPI-compatiblebusinterface.Theinnovative,high-pe

MicronMicron Technology

镁光美国镁光科技有限公司

W25Q256FV

SERIALFLASHMEMORYWITHDUAL/QUADSPI&QPI

WINBONDWinbond

华邦电子华邦电子股份有限公司

W25Q256FVBIF

3V256M-BITSERIALFLASHMEMORYWITHDUAL/QUADSPI&QPI

WINBONDWinbond

华邦电子华邦电子股份有限公司

W25Q256FVBIF-TR

3V256M-BITSERIALFLASHMEMORYWITHDUAL/QUADSPI&QPI

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华邦电子华邦电子股份有限公司

W25Q256FVBIG

3V256M-BITSERIALFLASHMEMORYWITHDUAL/QUADSPI&QPI

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华邦电子华邦电子股份有限公司

W25Q256FVCIF

3V256M-BITSERIALFLASHMEMORYWITHDUAL/QUADSPI&QPI

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华邦电子华邦电子股份有限公司

W25Q256FVCIG

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华邦电子华邦电子股份有限公司

W25Q256FVEIF

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华邦电子华邦电子股份有限公司

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3V256M-BITSERIALFLASHMEMORYWITHDUAL/QUADSPI&QPI

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华邦电子华邦电子股份有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    GD25Q256EYIGR

  • 制造商:

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    管件

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    FLASH - NOR

  • 存储容量:

    256Mb(32M x 8)

  • 存储器接口:

    SPI - 四 I/O

  • 写周期时间 - 字,页:

    50µs,2.4ms

  • 电压 - 供电:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-WDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    8-WSON(6x8)

  • 描述:

    256MBIT NOR FLASH /3.3V /WSON8 8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
GD(兆易创新)
2023+
WSON-8(8x6)
4550
全新原装正品
询价
GD(兆易创新)
ROHS/new original
*
10500
原装元器件供应现货支持。咨询更多现货库存,支持样
询价
GigaDevice(兆易创新)
2024+
WSON-8(6x8)
10232
诚信服务,绝对原装原盘
询价
GD(兆易创新)
24+
WSON-8(8x6)
7578
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
询价
GD(兆易创新)
23+
*
10500
原装元器件供应现货支持。咨询更多现货库存,支持样
询价
GD
23+
WSON8
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
GD
25+
WSON8
9600
原厂原装,价格优势
询价
GIGADEVICE
22+
N/A
2500
进口原装,优势现货
询价
GD
21+
WSON8
2000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
GD/兆易创新
22+
WSON8
3500
原装正品
询价
更多GD25Q256EYIGR供应商 更新时间2025-5-24 9:03:00